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[发明专利]形成半导体装置的隔离结构的方法-CN200710005381.2无效
发明人：金相德;朴宝旻 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成半导体装置的隔离结构的方法，包含在半导体基板上形成隔离沟槽。在隔离沟槽和基板上，形成第一绝缘层。在第一绝缘层上，形成旋布电介质(SOD)绝缘层，SOD绝缘层填充隔离沟槽且在隔离沟槽的上层之上延伸。移除提供在隔离沟槽之中的SOD绝缘层，以曝露隔离沟槽的上部，其中隔离沟槽的下部保持填充有SOD绝缘层。在填充隔离沟槽的下部的SOD绝缘层上，形成第二绝缘层，其中第二绝缘层填充隔离沟槽的上部。
形成半导体装置隔离结构方法

[发明专利]一种柔性矿物绝缘防火电缆-CN201610685044.1在审
发明人：王红梅 -专利权人：重庆市南方阻燃电线电缆有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性矿物绝缘防火电缆，属于电线电缆领域，用于解决现有电缆电压等级较低、防火材料敷设不均匀的问题。它包括位于中心位置的导体、位于导体外侧的绝缘层、位于绝缘层外侧的防火层，位于防火层外侧的外护套，所述绝缘层包括矿物复合绝缘层、位于矿物复合绝缘层外的交联绝缘层，所述矿物复合绝缘层由云母制成，所述交联绝缘层为交联聚乙烯；所述交联绝缘层和防火层之间设有隔离套，所述隔离套为交联聚乙烯隔离套，所述隔离套外侧设有齿，所述齿之间形成容纳槽，所述隔离套通过挤塑制成。本发明通过增加绝缘厚度增加了耐压等级，通过设有齿的隔离套使得防火材料敷设均匀，达到更好的防火效果。
一种柔性矿物绝缘防火电缆

[实用新型]一种柔性矿物绝缘防火电缆-CN201620903512.3有效
发明人：王红梅 -专利权人：重庆市南方阻燃电线电缆有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性矿物绝缘防火电缆，属于电线电缆领域，用于解决现有电缆电压等级较低、防火材料敷设不均匀的问题。它包括位于中心位置的导体、位于导体外侧的绝缘层、位于绝缘层外侧的防火层，位于防火层外侧的外护套，所述绝缘层包括矿物复合绝缘层、位于矿物复合绝缘层外的交联绝缘层，所述矿物复合绝缘层由云母制成，所述交联绝缘层为交联聚乙烯；所述交联绝缘层和防火层之间设有隔离套，所述隔离套为交联聚乙烯隔离套，所述隔离套外侧设有齿，所述齿之间形成容纳槽，所述隔离套通过挤塑制成。本实用新型通过增加绝缘厚度增加了耐压等级，通过设有齿的隔离套使得防火材料敷设均匀，达到更好的防火效果。
一种柔性矿物绝缘防火电缆

[发明专利]集成半导体器件及其制造方法-CN202180004425.8有效
发明人：曹凯;张建平;张雷;姚卫刚;周春华 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成半导体器件包含衬底、半导体电路层、第一绝缘层、第二绝缘层和互连层。半导体电路层配置在衬底上方。半导体电路层具有器件部分和隔离部分，且隔离部分位于器件部分之间。第一绝缘层配置在半导体电路层上，且第二绝缘层配置在第一绝缘层上，且互连层配置在半导体电路层上。互连层穿透第一绝缘层和第二绝缘层以电连接半导体电路层的器件部分。第二绝缘层或第一绝缘层和第二绝缘层共同地在半导体电路层的隔离部分上方形成一或多个隔离结构。互连层具有位于器件部分上方的多个第一电路。
集成半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种抗短路的变压器线圈-CN201720477159.1有效
发明人：景俊甫;朱良法;邬小英 -专利权人：苏州东源天利电器有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01F27/32 文献下载
摘要：一种抗短路的变压器线圈，包括高压线圈、外强化绝缘层、外绝缘隔离腔、外支撑条、中空绝缘层、内绝缘隔离腔、内支撑条、内强化绝缘层和低压线圈，所述高压线圈内侧连接外强化绝缘层，所述外强化绝缘层内侧设置有外绝缘隔离腔，本实用新型结构新颖，设计科学，本实用新型的变压器线圈通过外强化绝缘层和内强化绝缘层，使中空绝缘层，内绝缘隔离腔和外绝缘隔离腔，不会因线圈绕制的紧密度问题导致受力变形，同时多层隔离抗短路能力强，采用内绝缘隔离腔和外绝缘隔离腔对称绝缘结构
一种短路变压器线圈

[实用新型]油井加热专用电缆-CN201420688709.0有效
发明人：孟凡龍;王质良 -专利权人：沈阳沈缆银环企业集团有限公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H05B3/56 文献下载
摘要：本实用新型所采用的技术解决方案是一种油井加热专用电缆，包括芯线、隔离层、第1绝缘层、第2绝缘层，第3绝缘层和乳胶无碱玻璃丝带护层，所述的芯线为软铜导体，所述的芯线外绕包有隔离层，所述的隔离层外绕包有第1绝缘层，所述的第1绝缘层外绕包有第2绝缘层，所述的第2绝缘层外绕包有第3绝缘层，所述的第3绝缘层外绕包有乳胶无碱玻璃丝带护层，所述的第1绝缘层为聚酯亚胺带绝缘层，所述的第2绝缘层为聚四氟乙烯带绝缘层，所述的第3绝缘层为聚酯亚胺带绝缘层。所述的隔离层为无碱布带隔离层。
油井加热专用电缆

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202210474878.3在审
发明人：杨蒙蒙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，包括：衬底，所述衬底包括电路区和阵列区；第一隔离结构，所述第一隔离结构位于所述阵列区的所述衬底内；第二隔离结构，所述第二隔离结构位于所述电路区的所述衬底内，所述第二隔离结构包括：介质层；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述介质层的底部和侧壁；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层远离所述介质层的底部和侧壁，所述第二绝缘层的材料与所述第一隔离结构的材料相同，其中，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度，至少可以改善电路区内第二隔离结构中第二绝缘层的顶部凹陷深宽比。
半导体结构及其制作方法

[实用新型]电线、插头和功能家具-CN201820188659.8有效
发明人：黄敏利;齐发云 -专利权人：敏华家具制造（惠州）有限公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01B7/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及电线、插头和功能家具，电线包括：第一导线、第二导线、第一绝缘层、第二绝缘层和保护层；第一绝缘层包覆于第一导线的外侧，第二绝缘层包覆于第二导线的外侧，且第一绝缘层和第二绝缘层之间形成间隔槽；保护层包括一体成型的第一保护部、第二保护部和隔离部，第一保护部包覆于第一绝缘层的外侧，第二保护部包覆于第二绝缘层的外侧，隔离部设置于间隔槽内。通过保护层的隔离部将第一绝缘层和第二绝缘层隔离，避免第一绝缘层和第二绝缘层之间相互接触，减小第一绝缘层和第二绝缘层之间的摩擦，使得第一导线和第二导线之间的绝缘层厚度较大，绝缘层不易被磨破，有效提高了电线的使用寿命
绝缘层保护部电线包覆保护层功能家具隔离部间隔槽插头本实用新型绝缘层隔离一体成型的使用寿命减小磨破隔离摩擦

[发明专利]三维非易失性存储器装置及其制造方法-CN202011446347.0在审
发明人：郑圣勋;李秉一;姜宝锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：该三维非易失性存储器装置包括：基板，其包括单元区域和具有阶梯结构的延伸区域；垂直结构，其在基板上；堆叠结构，其在基板上具有电极层和层间绝缘层；隔离绝缘层，其在基板上并隔离开电极层；以及通孔布线区域，其与单元区域或延伸区域相邻并具有穿过基板的通孔，其中，单元区域包括其中布置有正常单元的主单元区域和边缘单元区域，隔离绝缘层包括在主单元区域中的主隔离绝缘层和在边缘单元区域中的边缘隔离绝缘层，并且主隔离绝缘层的下表面高于基板的上表面并具有与边缘隔离绝缘层的下表面不同的深度
三维非易失性存储器装置及其制造方法

[实用新型]聚对苯二甲酸乙二酯绝缘的隔离耳机线-CN201020162164.1有效
发明人：秦胜 -专利权人：湖北瀛通电子有限公司
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01B11/06 文献下载
摘要：一种聚对苯二甲酸乙二酯绝缘的隔离耳机线，包括导体、导体外的绝缘层、绝缘层外的隔离层、隔离层外的被覆层，其特征是：所述导体(1)之外有绝缘层(2)，在绝缘层(2)之外有隔离层(3)，在隔离层(3)之外有导体(4)，在导体(4)之外有聚对苯二甲酸乙二酯绝缘层(5)，在聚对苯二甲酸乙二酯绝缘层(5)之外有隔离层(6)，在隔离层(6)之外有被覆层(7)。本实用新型的耳机线通过在导体与最外层隔离层之间用聚酯带作绝缘层，在线材外径尺寸不增加或增加较小的前提下，提高其绝缘阻抗耐受值，使其具备绝缘保护功能，提高了良品率，且增加线材的使用寿命。
对苯二甲酸乙二酯绝缘隔离耳机线

[实用新型]一种定子-CN202022257507.9有效
发明人：张春晖;阚乃杰 -专利权人：江苏嘉轩智能工业科技股份有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H02K3/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种定子，涉及绝缘技术领域，所述定子包括：线圈绕组和用于绝缘所述线圈绕组的绝缘结构；所述线圈绕组包括至少两个线圈，所述绝缘结构包括一层包覆绝缘层和至少一层隔离绝缘层；所述隔离绝缘层设于相邻两个所述线圈之间，每层所述隔离绝缘层均包括紧密贴合的第一绝缘层(3)和第二绝缘层(4)，所述包覆绝缘层包覆在所述线圈绕组外表面，所述包覆绝缘层包括依次排设的第五绝缘层(13)、第三绝缘层(5)和第四绝缘层(6)，本实用新型通过设置多层绝缘层，提高线圈的绝缘性能、耐高温性能以及耐击穿能力。
一种定子

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210866551.0在审
发明人：林超 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该发明公开了一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括提供衬底，在衬底内形成隔离结构以及有源区；形成隔离结构的步骤包括：在衬底内形成凹槽；形成第一绝缘层，第一绝缘层位于凹槽的底部和侧壁；形成第二绝缘层，第二绝缘层位于第一绝缘层表面，其中，去除部分第二绝缘层，使得第二绝缘层的顶表面低于第一绝缘层的顶表面；形成第三绝缘层，第三绝缘层部分覆盖第二绝缘层，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层填充凹槽；形成介质层，介质层覆盖第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层表面以及有源区且填充满去除部分第二绝缘层形成的凹陷。所述制备方法能够避免在隔离结构和有源区之间形成凹陷处形成残留物而影响半导体结构的性能。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件和制造其的方法-CN202110862128.9在审
发明人：金成玟;金文铉;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，具有彼此分开的第一区域和第二区域；层叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的至少一个牺牲层和至少一个有源层；第一隔离绝缘层，在第一区域上的层叠结构上；第二隔离绝缘层，在第二区域上的层叠结构上，第二隔离绝缘层具有与第一隔离绝缘层相同的厚度；第一上有源图案，与第一隔离绝缘层间隔开；第一栅电极，围绕第一上有源图案的至少一部分；第二上有源图案，与第二隔离绝缘层间隔开；以及第二栅电极，围绕第二上有源图案的至少一部分，其中第一隔离绝缘层和第二隔离绝缘层的顶表面处于不同的高度。
半导体器件制造方法

[发明专利]沟槽隔离结构及其形成方法-CN201210294451.1有效
发明人：卓旭棋;蔡耀庭;廖修汉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明一实施例提供一种沟槽隔离结构及其形成方法，该方法包括：提供一基板；在基板中形成一沟槽；在沟槽中顺应性地形成一第一绝缘层覆盖沟槽；在第一绝缘层上顺应性地形成一氮化物衬层；在氮化物衬层上形成一第二绝缘层，且填满沟槽；蚀刻第二绝缘层，使得第二绝缘层的上表面低于或等于基板的上表面；以及在第二绝缘层上形成一第三绝缘层覆盖第二绝缘层，其与第一绝缘层、氮化物衬层及第二绝缘层形成一沟槽隔离结构。本发明的沟槽隔离结构及其形成方法，能避免在沟槽隔离结构中形成空隙，可降低漏电流的发生。
沟槽隔离结构及其形成方法

[实用新型]高频隔离带-CN91214995.7无效
发明人：黄又春;张仲和;王青元 -专利权人：成都纸网厂
申请日： 1991-09-20 - 公布日： 1992-04-15 - 主分类号： H01B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高频隔离带，由两绝缘层和夹覆在两绝缘层中间的金属隔离层组成，两绝缘层的横截面宽于金属隔离层的横截面，使金属隔离层完全包覆在两绝缘层内。本实用新型适用于脉码调制电缆的缆芯隔离。
高频隔离带

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